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LED外延片襯底鍍膜新突破

?????? LED外延片在各電子行業中作為一項高端技術產品重要組成部分之一,襯底鍍膜一直備受關注,由圖1中,我們可以看出外延片在LED整個行業中的附加值是非常高的,而且技術都集中在日美這些發達國家中,可見其技術含量是非常高的,面對市場的需求,東莞市匯成真空科技有限公司研發部門在LED外延片襯底鍍膜中引進PVD技術獲得重大的突破。

LED外延片


LED外延片工藝流程如下:
襯底 - 結構設計 - 緩沖層生長 - N型GaN層生長 - 多量子阱發光層生 - P型GaN層生長 - 退火 - 檢測(光熒光、X射線) - 外延片
外延片- 設計、加工掩模版 - 光刻 - 離子刻蝕 - N型電極(鍍膜、退火、刻蝕) - P型電極(鍍膜、退火、刻蝕) - 劃片 - 芯片分檢、分級

LED芯片


?????? 目前市場上大部分廠家對LED外延片鍍膜環節中主要使用的還是CVD技術(化學氣相沉積技術)制作氮化鋁薄膜(ALN),由CVD生成的ALN薄膜均勻性不穩定,容易受影響在表面形成很多的黑點,CVD技術鍍氮化鋁需要在將近1000℃的高溫條件下工作,因為氮化鋁薄膜在500℃以下是不能合成的,一般在緩沖層的溫度就達到600~870℃,工作5分鐘左右,在高溫層的溫度達到1000℃,工作60分鐘,生成LED外延片襯底的ALN薄膜,工作時間是非常長的,另外通過CVD生成ALN薄膜所使用的襯底材料具有很大的局限性。
?????? 為了解決這一系列在LED外延片襯底鍍膜中由CVD技術產生的缺點,東莞市匯成真空科技有限公司研發出用PVD技術(物理氣相沉積技術)代替CVD技術,放寬了襯底材料的選擇空間,大大提高了薄膜的均勻性,縮短ALN薄膜生成時間,由原來的1~2小時一爐變成幾十分鐘一爐,大大提高薄膜生成的產量。
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LED外延片氮化鋁薄膜


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